三星电子新芯片研发中心动工 计划2028年前投资150亿美元

8月19日消息，据国外媒体报道，周五三星电子在韩国的一个新半导体研发中心(RD)破土动工，计划到2028年投资约20万亿韩元（150亿美元）。

刚刚获得赦免的三星电子副会长李在镕和高层管理人员出席了动工仪式。随后他会见了芯片业务的员工，并单独会见了高管，讨论了如何确保获得扩大半导体领导地位的技术。

据悉，这个位于首尔南部Giheung的新研发中心将领导下一代存储和系统芯片设备和流程的先进研究，以及基于长期路线图的新技术开发。

公司在一份声明中表示：“三星电子正在寻求克服半导体规模的限制。”

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